不同晶面单晶硅在飞秒激光作用下的行为特性

发布时间：2018-05-03 21:13

  本文选题：激光制造 + 飞秒激光　； 参考：《中国激光》2017年01期

【摘要】：不同晶面单晶硅的物理性能和化学性能的微小差异会对微纳加工结果产生明显影响。利用电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了不同晶面单晶硅在飞秒激光作用下的行为特性。结果表明,(111)面单晶硅在飞秒激光能量密度低于和高于破坏阈值时分别形成非晶区和刻蚀区,而(100)面单晶硅在不同能量飞秒激光的作用下只形成刻蚀区。飞秒激光在微纳加工领域得到广泛应用,对晶体材料的不同晶面在飞秒激光作用下的行为特性的研究有助于制造新型微纳器件。
[Abstract]:The difference in physical and chemical properties of monocrystalline silicon with different crystal faces will have a significant effect on the results of micro-nano fabrication. The behavior of monocrystalline silicon with different crystal faces under femtosecond laser irradiation was studied by electron backscattering diffraction (EBSD) technique. The results show that monocrystalline silicon forms amorphous region and etching zone when the energy density of femtosecond laser is lower than or above the damage threshold, while the etching zone is formed only by femtosecond laser with different energy. Femtosecond laser has been widely used in the field of micro and nano fabrication. The study of the behavior of different crystal surfaces under the action of femtosecond laser is helpful to fabricate new micro / nano devices.
【作者单位】： 北京工业大学激光工程研究院高功率激光先进制造实验室;
【基金】：国家自然科学基金(51675013) 北京市自然科学基金(3152004) 北京市科技新星计划(Z141104001814109)
【分类号】：TN249;TN304.12

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本文编号：1840103