基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应

发布时间：2018-05-03 21:42

  本文选题：长波碲镉汞 + 表面钝化　； 参考：《红外与毫米波学报》2017年03期

【摘要】：采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺制备的器件界面存在较高面密度极性为正的固定电荷,在较高的反偏下形成较大的表面沟道漏电流,对器件性能具有重要的影响.通过钝化膜生长工艺的改进有效减小了器件界面固定电荷面密度,使HgCdTe表面从弱反型状态逐渐向平带状态转变,表面效应得到有效抑制,器件反向特性获得显著改善.此外,基于最优的工艺条件制备的器件界面态陷阱数量得到大幅降低,器件稳定性增强;同时器件R_0A随栅压未发生明显地变化.
[Abstract]:The CdTe/ZnS composite passivating layer was grown by different processes. The corresponding long-wave HgCdTe gate controlled diode devices were fabricated and the I-V measurements were carried out under different conditions. The results show that there is a fixed charge with positive polarity of higher surface density at the interface of the device prepared by the standard process, and a large surface channel leakage current is formed under the higher reverse bias, which has an important effect on the device performance. Through the improvement of passivation film growth process, the fixed charge surface density at the interface of the device is effectively reduced, the surface of HgCdTe is gradually changed from a weak inversion state to a flat band state, the surface effect is effectively suppressed, and the reverse characteristics of the device are significantly improved. In addition, the number of interfacial state traps prepared based on the optimal process conditions is greatly reduced, and the device stability is enhanced, while the device R _ (0) A does not change significantly with the gate voltage.
【作者单位】： 昆明物理研究所;
【基金】：国防973项目(613230) 云南省创新团队计划(2014HC020)~~
【分类号】：TN215;TN31

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1840245