基于梳齿式电容加速度计的深硅刻蚀

发布时间：2018-05-20 01:41

  本文选题：深硅刻蚀 + 梳齿结构　； 参考：《微纳电子技术》2017年09期

【摘要】：梳齿式电容加速度计对梳齿的形貌有很高的要求,如需要梳齿侧壁具有良好的垂直度和粗糙度等。利用深硅刻蚀机对梳齿结构进行加工需要对刻蚀参数进行分析和调整。以SF_6和C_4F_8为刻蚀气体,设定深硅刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数,着重研究了刻蚀速率、垂直度、粗糙度、光刻胶选择比、均匀性等直接影响刻蚀形貌的几项因素,得到了宽5.3μm、深50μm的沟槽结构,且垂直度为89.5°,侧壁凸起高度为83.69 nm,而预期目标为垂直度90°±2°,侧壁凸起高度小于120 nm,故结果符合要求。最终将调整好的工艺用于刻蚀SOI片上的梳齿结构,得到了良好的形貌。
[Abstract]:Comb capacitive accelerometers have high requirements for the morphology of comb teeth, such as good perpendicularity and roughness of the side wall of comb teeth. The machining of comb structure with deep silicon etching machine needs to analyze and adjust the etching parameters. With SF_6 and C_4F_8 as etching gas, the process parameters such as plate power, chamber pressure, etching / passivation period, gas flow rate, etch rate, perpendicularity, roughness, photoresist selection ratio were set. Some factors such as homogeneity directly affect the etching morphology, and a groove structure with a width of 5.3 渭 m and a depth of 50 渭 m is obtained. The vertical degree is 89.5 掳, the elevation of the lateral wall is 83.69 nm, and the expected target is 90 掳卤2 掳, and the height of the side wall is less than 120 nm, so the results meet the requirements. Finally, the adjusted process was used to etch the comb structure on SOI wafer, and a good morphology was obtained.
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;中北大学电子测试技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61604134) 山西省自然科学基金资助项目(2015021114)
【分类号】：TN305.7

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1912643