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石墨衬底上铝诱导法制备多晶硅薄膜

发布时间:2018-05-25 09:31

  本文选题:磁控溅射 + 铝诱导 ; 参考:《人工晶体学报》2017年09期


【摘要】:利用磁控溅射技术在石墨衬底上制备了石墨/a-Si/Al和石墨/Al/a-Si叠层结构,采用常规退火(CTA)和快速热退火(RTA)对样品进行退火,系统研究了不同退火条件对多晶硅薄膜制备的影响。利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman)对制备的多晶硅薄膜进行表征,并利用谢乐公式计算了晶粒尺寸,结果表明制备的多晶硅薄膜具有高度(111)择优取向,结晶质量良好,利于后续外延制作多晶硅厚膜电池。基于实验结果,建立了铝诱导晶化模型,很好的解释了实验现象。
[Abstract]:Graphite /a-Si/Al and graphite /Al/a-Si laminated structures were prepared by magnetron sputtering on graphite substrate. The samples were annealed by conventional annealing (CTA) and rapid thermal annealing (RTA). The effects of different annealing conditions on the preparation of polysilicon thin films were systematically studied. X ray diffraction (XRD), and Raman spectroscopy (Raman) were used to prepare polycrystalline silicon thin films. The film was characterized and the grain size was calculated by the Xie Le formula. The results showed that the prepared polysilicon film had a high (111) preferred orientation and good crystallization quality, which was beneficial to the subsequent epitaxy of polysilicon thick film batteries. Based on the experimental results, the aluminum induced crystallization model was established, which explained the experimental phenomenon well.
【作者单位】: 华北电力大学可再生能源学院;北京科技大学材料科学与工程学院;
【基金】:北京市自然科学基金(2151004) 中央高校基本科研业务费专项资金(2016MS50)
【分类号】:TN304.12

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本文编号:1932932

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