一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装

发布时间：2018-07-03 17:29

  本文选题：晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP) + 重分配布线层　； 参考：《半导体技术》2017年10期

【摘要】：采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。
[Abstract]:A miniaturized CMOS driver chip was encapsulated by WLCSP process. The WLCSP driver consists of two layers of polyimide (Pi) layer, rerouting layer, lower metal layer and metal bump. The WLCSP driver was designed, machined and tested, and the reliability tests of temperature shock, vibration and shear force were carried out. The results show that the volume of CMOS driver is 1.8 mm 脳 1.2 mm 脳 0.35 mm, pulse rise edge is 2.3 ns, descent edge is 2.5 NS, switching time is 10.6 ns. The WLCSP driver was installed on the FR4 substrate with a thickness of 1 mm. After the temperature shock test and vibration test, the convex spots were normal without cracks. The shear force is 20 Nwhen no underfill glue, and 200 Nwhen there is underfilling glue.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN405

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本文编号：2094429