基于加速寿命试验的IGBT可靠性预计模型研究

发布时间：2018-07-08 14:36

  本文选题：绝缘栅双极晶体管 + 预计模型　； 参考：《电力电子技术》2017年05期

【摘要】：随着电子元器件技术的不断发展,绝缘栅双极晶体管(IGBT)已得到了越来越广泛的应用,但其预计模型的缺失或不完善使得用户在可靠性分析过程中缺乏指导,影响工作的完整性和准确性。基于国内IGBT芯片外购、自主封装的研制生产现状及工程应用主要的失效模式、机理,结合国内外主流预计标准及评估方法,建立国产IGBT可靠性预计模型架构。选择典型IGBT开展温度循环试验,利用对数正态分布下的图估计法、最优线性无偏估计及最小二乘法对试验数据进行分析处理,确定封装模型系数定量表征,应用国外芯片失效数据确定芯片模型系数表征,从而完成国产IGBT可靠性预计模型建立,为国产元器件工程应用过程中的可靠性定量分析提供技术参考。
[Abstract]:With the development of electronic component technology, insulated gate bipolar transistor (IGBT) has been more and more widely used, but the lack or imperfection of its prediction model makes the user lack of guidance in the process of reliability analysis. Affect completeness and accuracy of work. Based on the status quo of domestic IGBT chip manufacture and production and the main failure mode and mechanism of engineering application, the domestic IGBT reliability prediction model architecture is established based on the main prediction standards and evaluation methods at home and abroad. The typical IGBT is selected to carry out the temperature cycle test. The graph estimation method under the logarithmic normal distribution, the optimal linear unbiased estimation and the least square method are used to analyze and process the test data, and the quantitative characterization of the encapsulation model coefficient is determined. The chip model coefficient is determined by using chip failure data from abroad, and the reliability prediction model of domestic IGBT is established, which provides a technical reference for reliability quantitative analysis in the process of domestic components engineering application.
【作者单位】： 工业和信息化部电子第五研究所;
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2107754