当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

基于场效应管与阶跃恢复二极管的皮秒级脉冲源设计

发布时间:2018-07-20 13:23
【摘要】:针对已有脉冲源无法兼顾脉冲宽度和幅值的现象,提出一种基于场效应管(MOSFET)和阶跃恢复二极管(SRD)相结合的皮秒级脉冲源设计方案。通过研究分析传统的几种脉冲源的设计方案,设计出一种百伏级的高重频皮秒级脉冲发生器,在PSPICE上对设计方案进行仿真并制作出脉冲源PCB板,实测在2MHz的重频下产生半幅脉宽约为400ps、幅度110V以上的极窄脉冲,波形稳定,为高分辨的超宽带探测雷达发射机的设计提供了新的选择方案。
[Abstract]:A picosecond pulse source design scheme based on field effect transistor (MOSFET) and step recovery diode (SRD) is proposed. Based on the research and analysis of several traditional pulse source design schemes, a high voltage picosecond pulse generator with high repetition frequency is designed. The design scheme is simulated on PSpice and the PCB board of pulse source is made. The half-amplitude pulse width is about 400 pss and the amplitude is more than 110 V, and the waveform is stable, which provides a new choice for the design of high resolution ultra-wideband detection radar transmitter.
【作者单位】: 中南大学航空航天学院;兰州理工大学计算机与通信学院;
【基金】:国家自然科学基金项目(61561031) 湖南省自然科学基金项目(14JJ3024)
【分类号】:TN78

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 成众志 ,李锦林 ,邓兆扬;具有高重复,

本文编号:2133665


资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2133665.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户63a94***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com