工艺参数对磨削硅晶圆亚表面损伤裂纹的影响

发布时间：2018-08-21 10:24

【摘要】：为研究粗磨硅晶圆亚表面微裂纹,采用截面显微观测法,实验研究了粗磨工艺下砂轮进给速率、砂轮转速和硅晶圆转速对晶圆亚表面裂纹的影响.结果表明:磨削后晶圆亚表面斜线裂纹和折线裂纹占70%,中位裂纹、分叉裂纹和横向裂纹占30%,裂纹形状与工艺参数的关系不大.裂纹深度从晶圆圆心向外逐渐增大,〈110〉晶向裂纹深度稍大于〈100〉晶向.裂纹深度随砂轮进给速率增大单调增加,随砂轮转速增大单调减小.裂纹深度与晶圆转速之间的关系复杂,晶圆转速增大时,裂纹深度先是减小,然后增大.提出了磨削工艺参数的优化措施.
[Abstract]:In order to study the subsurface micro-cracks in coarse grinding silicon wafers, the effects of grinding wheel feed rate, wheel speed and silicon wafer speed on the subsurface cracks of silicon wafers were studied experimentally by using cross-section microscopic observation method. The crack depth increases gradually from the center of the wafer to the direction of the wafer. The crack depth increases monotonously with the increase of the feed rate of the grinding wheel and decreases monotonously with the increase of the rotational speed of the grinding wheel. The crack depth first decreases and then increases. The optimization measures of grinding parameters are proposed.
【作者单位】： 北京工业大学机械工程与应用电子技术学院;北京中电科电子装备有限公司;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11502005) 国家科技重大专项资助项目(2014ZX02504-001-005)
【分类号】：TN305

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本文编号：2195404