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退火真空度对Sn-Al共掺杂ZnO薄膜性能的影响

发布时间:2018-09-06 17:03
【摘要】:采用溶胶-凝胶工艺制备出高可见光透过率、低电阻率的Sn-Al共掺杂Zn O透明导电薄膜(ZASO薄膜),分析了退火真空度对薄膜的晶体结构、光电性能的影响。结果表明:真空退火不改变Zn O晶体的本质,但退火真空度对薄膜光电特性有显著影响。退火真空度越高方块电阻越小,在较高真空环境中退火得到的ZASO薄膜方块电阻可低至0.7 kΩ·□-1。高真空退火时,薄膜的透光率较高,可见光平均透过率可达93%左右。
[Abstract]:Sn-Al co-doped Zn O transparent conductive thin films (ZASO thin films) with high visible light transmittance and low resistivity were prepared by sol-gel process. The effect of annealing vacuum on the crystal structure and optoelectronic properties of the films was analyzed. The results show that vacuum annealing does not change the nature of Zn O crystal, but the annealing vacuum has a significant effect on the photoelectric properties of the films. The higher the annealed vacuum is, the smaller the square resistance is, and the lower the square resistance of ZASO film is to 0.7 k 惟 -1 when annealed in a higher vacuum environment. When annealed in high vacuum, the transmittance of the film is higher, and the average transmittance of visible light is about 93%.
【作者单位】: 商洛学院电子信息与电气工程学院;
【基金】:商洛学院科研基金项目(14SKY009)
【分类号】:TN304.2

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本文编号:2226987

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