坩埚厚度对多晶硅定向凝固的影响

发布时间：2018-09-18 07:33

【摘要】：运用Comsol Multiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟,分析了不同坩埚厚度(15、20、25 mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明:当坩埚厚度为15 mm时,熔化所需要的时间最短,比坩埚厚度为20 mm和25 mm时分别少31 min和74 min;结晶初期,坩埚厚度为25 mm时的固液界面最为平坦,最有利于晶体的生长;多晶硅晶体底部边缘和顶部边缘区热应力高;坩埚厚度为15 mm时,晶体内热应力最大,且随着坩埚厚度的增大,两个区域的应力都减小。
[Abstract]:The directional solidification process of polycrystalline silicon was simulated by Comsol Multiphysics finite element software. The effects of different crucible thickness (15,20,25 mm) on the melting, crystallization and thermal stress of polycrystalline silicon were analyzed. The results show that when the crucible thickness is 15 mm, the melting time is the shortest, which is 20 mm and 25 mm respectively. At the initial stage of crystallization, the solid-liquid interface is the most flat and favorable for crystal growth when the crucible thickness is 25 mm; the thermal stress in the bottom edge and top edge of polysilicon crystal is high; when the crucible thickness is 15 mm, the thermal stress in the crystal is the largest, and with the increase of the crucible thickness, the stress in both regions decreases.
【作者单位】： 南昌大学机电工程学院;华东交通大学;新余学院新能源科学与工程学院;江西省高等学校硅材料重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51164033) 江西省自然科学基金项目(20132BAB206021) 江西省高等学校科技落地计划项目(KJLD12050) 江西省教育厅科学技术研究项目(11739,12748,GJJ151220)
【分类号】：TN304.12

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本文编号：2247230