IGBT模块通态电阻与键合线故障关系研究

发布时间：2018-10-14 15:52

【摘要】：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块通过键合引线实现与外电路的电气连接,并联的铝键合线若发生脱落现象,会导致模块的等效通态电阻增大,通过对电阻的计算,可直接对模块进行故障诊断。通过实验得出IGBT模块通态电压与电流之间的关系曲线,计算出健康与键合线故障状态下的IGBT模块等效通态电阻的变化,并分析得出键合线脱落根数超过总键合线数的40%左右时,IGBT模块发生失效故障。
[Abstract]:The insulated gate bipolar transistor (IGBT) module is electrically connected to the external circuit by bonding lead. If the parallel aluminum bond line shedding occurs, the equivalent on-state resistance of the module will increase, and the resistance is calculated. The module can be diagnosed directly. The relationship curve between on-state voltage and current of IGBT module is obtained by experiments, and the change of equivalent on-state resistance of IGBT module under the condition of health and bonding line fault is calculated. The failure of the IGBT module occurs when the number of the missing roots of the bonding line exceeds 40% of the total number of bonding lines.
【作者单位】： 河北工业大学电气工程学院;
【基金】：国家科技支撑计划(2015BAA09B01) 国家自然科学基金(51377044)~~
【分类号】：TN322.8

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本文编号：2270925