基于SPICE模型的SiC MOSFET静动态特性分析

发布时间：2018-10-16 19:11

【摘要】：基于C2M系列SPICE模型,对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)静动态特性进行分析。结果表明该模型在工作结温较低时,与数据手册提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温较高时对SiC MOSFET静态特性模拟效果较差,于是在该模型基础上增加一个温控电压源,以补偿工作结温上升带来的影响。之后,通过双脉冲测试,对比分析该模型对SiC MOSFET动态特性的模拟效果。经过上述静、动特性的分析,发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性,增加温控电压源后也适用于高结温工作状态。
[Abstract]:Based on the C2m series SPICE model, the static and dynamic characteristics of silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are analyzed. The results show that the model is in good agreement with the static characteristic curve provided by the data manual when the working junction temperature is low, but the simulation effect of the static characteristic of SiC MOSFET is poor when the working junction temperature is high, so a temperature control voltage source is added to the model. To compensate for the effect of rising working temperature. After that, the simulation effect of the model on the dynamic characteristics of SiC MOSFET is compared and analyzed by double pulse test. Through the analysis of the static and dynamic characteristics above, it is found that the model can accurately reflect the real working characteristics of the device at low junction temperature, and it is also suitable for the high temperature working state after adding the temperature control voltage source.
【作者单位】： 合肥工业大学;
【基金】：国家青年科学基金(51607053)~~
【分类号】：TN386

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本文编号：2275361