外来物导致的塑封器件金属化层损伤机理分析
[Abstract]:The damage of metallized layer on the surface of the sample chip was found by (DPA),. Back scattering electron imaging and energy spectrum analysis were used to determine the presence of steel particles in the damaged site. The damage morphology was further analyzed in combination with the plastic packaging process. The results showed that the steel particles originated from the damage or aging of the plastic sealing die and the stress produced during epoxy curing resulted in the crushing of the metallized layer of the steel particles. The harmfulness of plastic sealing devices with such defects in high reliability applications is analyzed. The formation mechanism of this kind of defect is unusual, and the research conclusion has reference value for improving the production process of plastic sealing device.
【作者单位】: 中国工程物理研究院计量测试中心;中国工程物理研究院成都科学技术发展中心成都绿色能源与绿色制造技术研发中心;
【分类号】:TN405
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 应世杰;;塑料金属化技术及其应用[J];电子机械工程;1985年04期
2 黄开军,范才有;Al/TiN_xO_yC_z/TiSi_2/Si金属化系统的研究[J];半导体技术;1990年01期
3 骆洋洋;;半金属化阶梯槽可靠性研究[J];印制电路信息;2011年S1期
4 张振林;陶瓷金属化方法和金属化机理[J];微电子学;1975年03期
5 王家源 ,苏世民;铜厚膜金属化系统的发展概况[J];半导体技术;1982年01期
6 ;α体单晶白宝石金属化研制成功[J];半导体光电;1986年01期
7 赵丽华,黄焕琴,刘淑萍;核辐射加固功率晶体管的金属化系统研究[J];微电子学与计算机;1989年12期
8 陈家齐;陈明高;;全金属化光纤插针[J];半导体光电;1990年02期
9 曲喜新;有机薄膜电容器的金属化电极[J];电子元件与材料;1993年01期
10 顾瑛,张德胜,韩孝勇,孙怀安,华桂芳;“金属化层附着强度”测试方法探讨[J];电子产品可靠性与环境试验;1999年01期
相关会议论文 前1条
1 何晓梅;王卫杰;;俄罗斯陶瓷及其金属化技术的研究[A];2002年电子陶瓷及其在真空电子行业中应用技术交流会论文集[C];2002年
相关硕士学位论文 前4条
1 周明珠;电真空器件用Al_2O_3陶瓷中低温金属化技术研究[D];中国计量学院;2015年
2 杨希锐;晶体管封装用陶瓷金属化层的制备与性能研究[D];山东大学;2016年
3 张鹏飞;大功率LED用AlN金属化陶瓷基板的制备及性能研究[D];南京航空航天大学;2016年
4 齐欣;TO257T型管壳封装设计及电子封装用95%Al_2O_3金属化层制备[D];山东大学;2017年
,本文编号:2290405
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2290405.html