纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究

发布时间：2019-01-21 17:19

【摘要】：针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰。应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过计算分别得到热噪声和散粒噪声,同时分析器件工作在亚阈区和反型区下的电流噪声随源漏电压和电流的变化关系。结果表明测试结果与理论分析吻合,验证了测试系统的准确性。
[Abstract]:According to the noise characteristics of conventional nano-scale electronic components, the basic test conditions of their noise are studied, and a testing system is established. Using low temperature device and ultra low noise preamplifier under shielding condition can effectively suppress external interference. The current noise is obtained by using the system to measure the noise of the actual nanometer MOSFET device. The thermal noise and the shot noise are obtained by calculation on the basis of the test. At the same time, the relationship between current noise and source drain voltage and current is analyzed. The results show that the test results agree with the theoretical analysis and verify the accuracy of the test system.
【作者单位】： 安康学院电子与信息工程学院;中国西南电子技术研究所;西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院;
【分类号】：TN407

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本文编号：2412857