母排互感对IGBT模块并联动态均流的影响
[Abstract]:In order to improve the uneven flow in the parallel connection of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) module, the typical stacked bus structure of the IGBT module parallel is taken as the research object, based on the Ansoft Q3D and Simplorer software. This paper probes into the equivalent circuit of IGBT module switch instantaneous stacking bus, and puts forward a novel theory of the influence of the mutual inductance of the laminated bus terminal on the dynamic current sharing of IGBT module, and it is well verified in the experiment.
【作者单位】: 中国科学院大学;中国科学院电工研究所;中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室;北京电动车辆协同创新中心;
【基金】:北京市科技计划项目(Z161100001416004)~~
【分类号】:TN322.8
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,本文编号:2429789
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