1200V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究

发布时间：2019-04-27 21:14

【摘要】：搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC MOSFET的主要优缺点。分析结果表明,SiC MOSFET在高温条件下依然拥有稳定的阻断能力;在同样的工作条件下,SiC MOSFET损耗更小,适合在高频率、大功率场合下使用;SiC MOSFET的跨导低,导通电阻大,所以门极驱动电压需要比较大的摆幅(-5/+20 V);由于开关速度很快,SiC MOSFET对线路杂散参数更加敏感。
[Abstract]:The output characteristic test circuit, leakage current test circuit, double pulse test circuit and Buck circuit are built. The output characteristics, leakage current, switching characteristics and device loss of 1200 V SiC MOSFET and Si IGBT are compared and studied. The main advantages and disadvantages of SiC MOSFET are analyzed. The results show that, SiC MOSFET still has stable blocking ability at high temperature, and the loss of, SiC MOSFET is smaller under the same working conditions, so it is suitable for use in high frequency and high power situations. Because of the low transconductance and large on-resistance of the SiC MOSFET, the gate driving voltage needs a large swing (- 5 / 20 V);) because the switching speed is very fast, SiC MOSFET is more sensitive to the stray parameters of the line.
【作者单位】： 北京电动车辆协同创新中心;中国科学院电工研究所;中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(电工研究所);
【基金】：国家自然科学基金青年基金资助项目(51507166) 国家高技术研究发展计划资助项目(863)(2015AA034501)~~
【分类号】：TN386;TN322.8

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2467315