基于薄膜打拿极的微通道板研究

发布时间：2019-06-07 19:22

【摘要】：针对传统微通道板氢还原过程中微通道板器件的电阻和增益相互制约的矛盾,本文设计并制备出一种基于薄膜打拿极的微通道板。本文选取了AZO(ZnO和Al_2O_3的复合薄膜)做为薄膜打拿极的导电层材料,SiO_2做为薄膜打拿极的发射层材料,设计了打拿极导电层的厚度是250μm,而发射层得厚度为5nm,根据理论分析,模拟了微通道板电子增益函数,通过实验研究提出了以原子层沉积技术为基础的薄膜打拿极微通道板的工艺制备方案,制备了薄膜打拿极微通道板器件,测试了器件的电阻和电子增益。微通道板器件的电阻随器件两端加载电压的增加而非线性减小,当加载电压为800V时微通道板电阻为110MΩ,器件增益达到300。
[Abstract]:In view of the contradiction between resistance and gain of microchannel plate devices in the process of hydrogen reduction of traditional microchannel plate, a microchannel plate based on thin film beating electrode is designed and fabricated in this paper. In this paper, the composite film of AZO (ZnO and Al_2O_3 is selected as the conductive layer material of thin film beating electrode, and SiO_2 is used as the emission layer material of thin film beating electrode. The thickness of the conductive layer of the beating electrode is 250 渭 m, and the thickness of the emission layer is 5 nm. According to the theoretical analysis, the electron gain function of the microchannel plate is simulated, and the fabrication scheme of the microchannel plate based on the atomic layer deposition technology is proposed, and the device of the microchannel plate is fabricated. The resistance and electronic gain of the device are measured. The resistance of microchannel plate device decreases with the increase of loading voltage at both ends of the device. When the loading voltage is 800V, the resistance of microchannel plate device is 110m 惟, and the gain of microchannel plate device is 300.
【学位授予单位】：长春理工大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TN103

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本文编号：2495024