GaN功率器件栅驱动电路技术综述

发布时间：2021-10-10 05:23

　　第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(02)北大核心

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
0 引 言
1 200 V以下低压GaN驱动电路应用及其关键技术
    1.1 48～12 V DC-DC中间总线转换电路应用
    1.2 宽压输入、低占空比的汽车电子供电应用
    1.3 HPA高速高功率供电应用
    1.4 低压GaN驱动电路的关键技术
2 低压GaN驱动方案在高压系统中存在的问题
3 400 V以上高压GaN驱动电路的关键技术
    3.1 隔离驱动技术
        3.1.1 数字隔离器工作原理
        3.1.2 数字隔离器的隔离结构
        3.1.3 无磁芯变压器耦合隔离结构
        3.1.4 数字隔离器中信号传输方式
    3.2 耗尽型GaN栅驱动技术
        3.2.1 栅-源串联驱动技术
        3.2.2 电荷泵负压栅驱动技术
4 400 V以上高压GaN驱动电路应用
    4.1 AC-DC一次电源架构
    4.2 AC-DC适配器应用
5 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]增强型GaN功率器件栅驱动技术设计考虑[J]. 明鑫,张宣,周琦,张波.  电力电子技术. 2017(08)



本文编号：3427733