纳米半导体场电子发射:真空纳电子学的基石与愿景

发布时间：2021-10-18 17:14

　　综述了作者近20年在纳米半导体场电子发射及其作为冷阴极应用的理论模型、优化结构与相应实验研究方面取得的系列进展与突破.理论上提出了宽带半导体能带弯曲场发射模型和量子结构增强场发射的思想,并在其纳米半导体场发射特性实验研究中得到证实.实验上研制出了具有优异场发射性能的几种纳米半导体场发射冷阴极,为该真空纳米电子器件的实际应用奠定了基础.最后,对该领域研究的瓶颈问题及未来发展趋势进行了述评. 

【文章来源】：北京工业大学学报. 2020,46(10)北大核心CSCD

【文章页数】：10 页

【部分图文】：

外加场强为500 V/μm时c-BN/真空

Al/GaN、G-GaN以及H-GaN的

3种n-GaN/Ga0.5Al0.5N-GaN/vacuum场


本文编号：3443178