Si 2 O 3 粒径对传感器用L-MBE沉积Pt/ZnMgO/Si 2 O 3 导电性能和组织的影响

发布时间：2021-12-28 02:38

　　为了提高高温下声表面传感器导电稳定性,采用激光分子束外延方（L-MBE）法沉积制备Pt/ZnMgO/Si₂O₃三层薄膜,通过实验测试的方式研究Si₂O₃粒径对其导电性能和结构的影响,重点研究了薄膜受到高温作用时发生的导电性变化及其微观组织结构的转变。研究结果表明:不同Si₂O₃粒径下Pt/ZnMgO/Si₂O₃三层薄膜电阻表现为和温度相近的变化规律,当温度上升后都发生了缓慢增大。当薄膜表面Si₂O₃粒径为60μm时,电阻发生明显变化的温度依次为1100℃与1150℃。粒径达到90μm以上的薄膜经过保温后电阻保持基本恒定。对200μm粒径Si₂O₃膜薄膜进行热处理形成了平整表面,生成了许多小尺寸晶粒。随着Si₂O₃粒径降低,表面区域产生了更大外径尺寸的Pt颗粒,形成了部分Pt微孔。提高... 

【文章来源】：真空科学与技术学报. 2020,40(09)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 实验方法
2 结果与讨论
    2.1 导电性能分析
    2.2 1000℃+2 h退火后三层薄膜微观组织分析
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3553236