MoS 2 晶体管剥离法和CVD法制备技术研究及电性能仿真

发布时间：2021-12-30 03:52

　　MoS₂作为一种典型的2D半导体材料,由于其优异的电学特性,被寄予了替代传统硅材料在纳电子器件中发挥重要作用的希望。然而MoS₂作为沟道材料与栅介质之间存在较大的界面态密度以及用微机械剥离法得到的薄膜尺寸和厚度无法控制等缺点,使得制备得到的MoS₂场效应晶体管的电学性能远未达到其理论值,导致其在工业化应用中还存在较大差距。因此本文围绕改进MoS₂晶体管电学性能和薄膜质量从实验和理论两方面开展了研究工作。实验方面:（1）设计制备了两种栅介质结构（MoS₂/HfO₂和MoS₂/Al₂O₃/HfO₂）的背栅MoS₂晶体管,并且选取两组栅介质在转移MoS₂之前进行NH₃等离子体处理。比较发现,经过NH₃等离子体处理的Al₂O₃/HfO_2<... 

【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：78 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

世界上第一支点接触锗晶体管

商用微处理器发展历程

(a)FinFET结构示意图；(b)SOI结构示意图

【参考文献】：
期刊论文
[1]高质量单层MoS2的可控合成及其在微纳电子方面的应用（英文）[J]. 杨小年,李强,胡国锋,王泽高,杨振宇,刘兴强,董明东,潘曹峰.  Science China Materials. 2016(03)



本文编号：3557419