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基于迭代算法的半导体光放大器动态模型构建

发布时间:2023-03-19 15:01
  为了分析并精确预测半导体光放大器的性能,对InP-InGaAsP均匀掩埋的半导体光放大器建立了一种有效的数学模型,考虑了自发辐射与受激辐射之间的关系,实时模拟分析了偏置电流、输入功率对增益和噪声指数的影响。结果表明,在偏置电流为120mA、输入功率为-10dBm时,半导体光放大器的性能最佳。该模型能够对半导体光放大器的设计提供一定的借鉴。

【文章页数】:6 页

【文章目录】:
引 言
1 半导体光放大器的工作原理和特性
2 光放大器模型
    2.1 放大器结构与材料模型
    2.2 信号场的行波方程
    2.3 自发辐射的行波方程
    2.4 载流子密度速率方程
3 数值模拟结果与分析
4 结 论



本文编号:3765457

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