高性能X波段增强型凹栅Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MIS-HEMT

发布时间：2023-03-19 17:59

　　在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25μm的增强型Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD(原子层淀积)Al₂O₃介质层的方法研制器件.研制的增强型MIS-HEMT器件的阈值电压为+2.2V,饱和电流为512.3mA/mm.通过变频变温C-V方法测试提取的Al₂O₃介质层与AlGaN势垒层之间的界面态密度相应于能级范围(EC-0.35)eV^EC-0.65eV从8.50×1012 cm-2eV-1减小到9.73×1011 cm-2eV-1.另外,研制器件展示了突出的射频性能,其截止频率(fT))为30.5GHz,最高振荡频率(fmax)为71.5GHz.连续波测试模式时,该器件在8GHz频率下,饱和输出功率密度为1.7 W/mm,相应附加功率效率为32.6%.展现出凹栅增强型MISHEMT在X波段射频电路中的应用潜力.

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 引言
2 器件结构与工艺
3 结果与讨论
4 结束语



本文编号：3765697