薄膜体声波滤波器AlN压电薄膜的ICP刻蚀研究

发布时间：2023-08-08 20:21

　　随着5G通信技术的发展,通信频段不断提高,以氮化铝(AlN)为压电薄膜材料的薄膜体声波滤波器作为目前唯一可集成的射频前段滤波器成为研究热点之一。本文开展AlN材料刻蚀工艺的实验研究,实验中采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl₂/BCl₃作为刻蚀工艺气体,通过一系列工艺影响参数调整及相应刻蚀结果分析,获得了ICP源功率、RF偏压功率、腔体压强和BCl₃气体流量对AlN材料和光刻胶掩膜刻蚀速率、刻蚀形貌的影响规律。通过综合优化工艺参数,最终得到了侧壁平坦、表面光滑的空气隙型薄膜体声波滤波器三明治结构。

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【文章目录】：
1 实验原理和方法
2 实验结果与分析
    2.1 ICP源功率对AlN刻蚀的影响
    2.2 RF偏压功率对AlN刻蚀的影响
    2.3 腔体压强对AlN刻蚀的影响
    2.4 BCl3气体流量对AlN刻蚀的影响
3 结论



本文编号：3840418