基于PdO/Si异质结的近红外光电探测器

发布时间：2024-01-08 19:03

　　为了探索PdO薄膜的光电性质,采用电子束和CVD高温氧化技术在N型Si上生长了PdO薄膜,使用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(RAMAN)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的成分和形貌进行表征。研制了PdO/Si异质结光电探测器,并对探测器进行光电性能测试。实验结果表明,探测器具有优异的整流特性,在波长为970 nm的光照下,开关比高达9.8×10³,并具有优异的空气稳定性和耐久性。因此当前器件在未来的NIR光电系统中具有巨大的应用潜力。

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本文编号：3877495