电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(二)：实验研究

发布时间：2024-06-05 20:36

　　开展电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流影响的实验研究。首先,比较多种IGBT/FRD芯片级并联均流实验电路,进而搭建压接型IGBT/FRD芯片级动态均流特性实验平台,对16枚FRD芯片开展动态均流测试。实验结果证实器件内存在复杂的动态不均流现象,进一步表明:发射极电极圆周化布置时,在对称的外部电磁条件下可以明显优化器件内部的并联均流特性,但当器件连接外部不对称汇流母排后,该设计方案收效甚微,甚至有加剧不均流的风险;发射极电极刻槽方案,对于对称或不对称的外部电磁条件都能对器件内部的动态均流特性加以改善。

【文章页数】：10 页

【文章目录】：
0 引言
1 压接型IGBT/FRD并联均流实验原理
2 压接型IGBT/FRD多芯片并联均流特性实验平台
3 不同电极结构设计方案的多芯片并联均流特性实验
4 多芯片并联均流实验结果及分析
5 结论



本文编号：3989908