纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性研究进展

发布时间：2017-07-14 07:13

  本文关键词：纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性研究进展

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【摘要】：随着特征尺寸的不断缩减,器件结电容减少、工作电压降低,使纳米CMOS电路对单粒子效应(SEE)更加敏感,同时伴随着明显的单粒子串扰、多结点翻转等现象,严重影响其工作可靠性。基于纳米CMOS电路在SEE下的可靠性,从基本电离损伤机理、SEE对电路的影响、可靠性评估及抗辐射加固设计等几个方面分析了最新的研究进展,最后指出了几个未来可能研究的焦点,包括:新材料和新结构器件的SEE研究、CMOS电路的抗辐射加固设计研究,特别是抗单粒子瞬态的加固研究及纳米CMOS电路的单粒子闩锁和烧毁机理、仿真及加固研究等。
【作者单位】： 空军第一航空学院;空军工程大学理学院;
【关键词】： 单粒子效应(SEE) 可靠性 纳电子器件 抗辐射加固 损伤机理
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11405270,61172043)
【分类号】：TN432
【正文快照】： 0引言随着空间技术、核科学和微纳电子技术的快速发展,微处理器和混频器等器件越来越多地被广泛应用于航空和航天等领域,经受着恶劣空间辐射或核辐射环境的严重考验[1]。近年来,国内外航天器故障的最新统计数据显示,在空间环境导致的航天器故障中,由单粒子效应(single event e

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本文编号：540126