一种新型硅通孔金属填充工艺研究

发布时间：2017-07-25 14:49

  本文关键词：一种新型硅通孔金属填充工艺研究

  更多相关文章： 硅通孔 金属钨(W) 化学气相沉积 刻蚀

【摘要】：穿透硅通孔(Through Si via interconnect)是3D IC集成中的一种重要工艺。钨化学气相淀积在半导体工业中被广泛应用,其在接触孔/通孔填充中出色的台阶覆盖能力。但采用其作为填充金属时,会产生巨大的拉应力(tensile stress)。这是一种钨淀积与刻蚀在同一反应腔内连续作业的填充高深宽比硅通孔工艺的方法。主要研究了反应腔压力、喷淋头与基座之间的距离、氩气流量主要工艺参数对钨刻蚀工艺的影响,最终获得了一种深硅通孔无缝填充的稳定工艺。
【作者单位】： 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
【关键词】： 硅通孔 金属钨(W) 化学气相沉积 刻蚀
【分类号】：TN405
【正文快照】： 1引言随着半导体工艺的日趋成熟,3D集成已经成为解决芯片互连带来的全局延迟和功率损耗,提高芯片集成度和运算速度的新方向[1]。穿透硅通孔(TSV)互连技术就是3D集成工艺中的一项重要技术。通过硅通孔中的填充金属直接透过硅片背面连接,可获得三维立体堆叠,极大的提高了芯片集

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本文编号：571785