GaN组合开关电路及其驱动技术研究

发布时间：2017-09-04 22:11

  本文关键词：GaN组合开关电路及其驱动技术研究

  更多相关文章： 氮化镓 高电子迁移率场效应晶体管 耗尽型 驱动电路 开关变换器

【摘要】：基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。
【作者单位】： 西安科技大学通信与信息工程学院;中国移动通信集团山西有限公司;西安科技大学电气与控制工程学院;
【关键词】： 氮化镓 高电子迁移率场效应晶体管 耗尽型 驱动电路 开关变换器
【基金】：陕西省科学技术研究发展计划(2015SF279)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 0引言以半导体材料作为基础可制成各种各样的器件,1990年代之前,以硅为代表的第一代半导体材料占据统治地位。但随着信息时代的来临,特别是对高压、高温及大功率的需求,以Ga N等宽禁带半导体为代表的第三代半导体材料,受到了广泛关注[1-4]。由于Ga N材料化学键能高,材料的物理

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本文编号：794122