SiC功率器件应用现状及发展趋势

发布时间：2017-09-17 08:08

  本文关键词：SiC功率器件应用现状及发展趋势

  更多相关文章： 宽禁带材料 碳化硅 功率半导体器件 大功率变流器

【摘要】：典型的宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具备击穿场强高、饱和电子漂移速率快及热导率高等特性,能满足现代功率器件在大功率场合、高频高温工况下应用的发展需求。本文以开关电源、电动汽车、新能源发电、轨道交通和智能电网等应用领域为背景,对SiC功率器件的应用现状和发展趋势进行了分析。结果表明,SiC功率器件的应用有利于变流器系统功率密度和整体效率的提升,具备替代硅材料半导体器件的潜质。
【作者单位】： 中车株洲所电气技术与材料工程研究院;
【关键词】： 宽禁带材料 碳化硅 功率半导体器件 大功率变流器
【基金】：国家科技重大专项02专项(2013ZX02305)
【分类号】：TN303
【正文快照】： 0?引言?电力电子器件及其应用装置为实现不同电能形式之间的转换提供了最有效途径,已广泛应用于工农业生产、交通运输、国防建设和医疗卫生等各个领域。每一代新型电力电子器件的诞生,都会推动能源更高效地转换和利用;而社会生产力水平的飞速发展,也促进着电力电子器件向更高

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 周慧;;日本出售SiC肖特基势垒二极管[J];半导体信息;2004年01期

2 王玉霞,何海平,汤洪高;宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用[J];硅酸盐学报;2002年03期

3 杨霏;闫锐;陈昊;张有润;彭明明;商庆杰;李亚丽;张雄文;潘宏菽;杨克武;蔡树军;;SiC肖特基势垒二极管的反向特性[J];微纳电子技术;2010年01期

4 徐军,谢家纯,董小波,王克彦,李W，

本文编号：868240