Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

发布时间：2017-09-22 12:45

  本文关键词：Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

  更多相关文章： Early效应 三极管 SPICE 积分电荷控制关系

【摘要】：Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和Si Ge电路仿真器中的应用.具体为:(1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBIC不能有效描述SiGe HBT中基区Ge组分引入.本文基于SiGe HBT标准化模型Mextram、HICUM对SiGe HBT的建模思想,综述了将其用于建立Early电压模型的方法.(3)总结了现有主流模型对Early效应的建模方法及优缺点.
【作者单位】： 长安大学电子与控制工程学院道路交通检测与装备工程技术研究中心;西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室;西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室;
【关键词】： Early效应 三极管 SPICE 积分电荷控制关系
【基金】：中国博士后科学基金(No.2013M540732) 国家自然科学基金(No.61504011) 陕西省自然科学基金(No.2014JQ8344,No.2015JM6357) 西安市科技计划项目(No.CXY1441(9)) 中央高校基本科研业务费(No.31083216002)
【分类号】：TN32
【正文快照】：

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 陈培毅 ,王吉林;SiGe新技术及其应用前景[J];电子产品世界;2002年13期

2 ;DESIGN AND FABRICATION OF Si/SiGe PMOSFETs[J];Journal of Electronics(China);2002年01期

3 吴琪乐;;华虹已经量产SiGe IGBT器件[J];半导体信息;2012年02期

4 邹德恕，陈建新;半导体硅技术发展的新方向──SiGe／Si异质结器件[J];电子科技导报;1995年11期

5 一凡;2005年SiGe器件市场达1.8亿美元[J];微电子技术;1999年06期

6 贾宏勇,朱文斌,刘志农,陈培毅,钱佩信;Development of Microwave SiGe Heterojunction Bipolar Transistors[J];半导体学报;2000年10期

7 任学民;SiGe IC市场[J];半导体杂志;2000年02期

8 金中;无线用宽带SiGe IC市场胎动[J];电子产品世界;2000年12期

9 黄文韬;刘志农;许军;刘志宏;刘荣华;张伟;钱佩信;;新型微波SiGe HBT集成电路研究概况[J];中国集成电路;2002年10期

10 张鹤鸣,戴显英,吕懿,林大松,胡辉勇,王伟;SiGe异质结双极晶体管频率特性分析[J];西安电子科技大学学报;2003年03期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 刘志弘;;SiGe HBT及电路的发展状况[A];集成电路配套材料研讨会及参展资料汇编[C];2004年

2 蔡坤煌;张永;李成;赖虹凯;陈松岩;;氧化法制备SiGe弛豫缓冲层及其表征[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

3 柳伟达;周旗钢;何自强;;RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年

4 王扬;张万荣;谢红云;金冬月;张蔚;何丽剑;沙永萍;;多发射指分段结构功率SiGe HBT的优化设计[A];2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）[C];2007年

5 石瑞英;蒲林;程兴华;谭开州;杨晨;刘轮才;王健安;龚敏;;SiGe HBT抗γ辐照机理研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

6 赵丽霞;高国智;陈秉克;袁肇耿;张鹤鸣;;组分渐变的SiGe HBT材料的生长[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年

7 沙永萍;张万荣;谢红云;;SiGe HBT的高频噪声相关性模型[A];2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）[C];2007年

8 林晓玲;孔学东;恩云飞;章晓文;姚若河;;SiGe HBT工艺结构及失效分析[A];2007'第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2007年

9 Jie Yu;Chong Wang;Yu Yang;;Progress on the Numerical Calculation of Electrical Characteristics of Strained SiGe Channel p-MOSFET[A];Proceedings of 2012 China Functional Materials Technology and Industry Forum[C];2012年

10 黄惠敏;韦妮莉;罗文婷;郑佩燕;孙宝清;;常见食物过敏原sIgE检测分析[A];中华医学会呼吸病学年会——2013第十四次全国呼吸病学学术会议论文汇编[C];2013年

中国重要报纸全文数据库 前4条

1 余卫华;SiGe半导体推出全新射频前端模块 实现无线多媒体应用[N];电子资讯时报;2008年

2 鸣秦;IBM与泰克合作开发出SiGe芯片[N];计算机世界;2005年

3 高鸣矫 DigiTimes;SiGe半导体首款EDR蓝牙功率放大器[N];电子资讯时报;2006年

4 SiGe半导体企业及业务发展副总裁 John Brewer;RF技术瞄准智能能源[N];中国电子报;2010年

中国博士学位论文全文数据库 前9条

1 徐文婷;Si、Ge、SOI中SiGe纳米晶的生长及其特性研究[D];北京有色金属研究总院;2013年

2 胡辉勇;微波功率SiGe HBT关键技术研究[D];西安电子科技大学;2006年

3 张永;微波功率SiGe HBT与基于虚衬底的SiGe HPT的研制[D];厦门大学;2009年

4 黄文韬;SiGe/Si外延与SiGe HBT微波单片放大电路研究[D];清华大学;2004年

5 韩波;射频微波SiGe HBT建模与参数提取技术研究[D];华东师范大学;2012年

6 杨沛锋;Si/SiGe异质结器件研究[D];电子科技大学;2002年

7 李鹏飞;SiGe基材料紧束缚势模型的发展及第一性原理研究[D];中国科学技术大学;2013年

8 徐小波;SOI SiGe HBT性能与结构设计研究[D];西安电子科技大学;2012年

9 张滨;SiGe HBT器件及其在LNA电路中的应用研究[D];西安电子科技大学;2013年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 李利明;慢性荨麻疹患者户尘螨sIgE与IL-4的表达及意义[D];山西医科大学;2015年

2 刘默寒;典型SiGe HBTs的总剂量辐射效应研究[D];新疆大学;2015年

3 钟怡;20GHz SiGe HBT器件设计与工艺研究[D];电子科技大学;2014年

4 赵迪;超薄SiGe虚拟衬底的制备与建模[D];电子科技大学;2015年

5 杨超;SOI应变SiGe BiCMOS关键技术研究[D];西安电子科技大学;2014年

6 谭静;SiGe HCMOS IC关键工艺技术研究[D];电子科技大学;2006年

7 魏欢;SiGe异质结双极晶体管及其集成电路的研究[D];北京工业大学;2000年

8 安正华;SiGe-OI新材料制备及其应用的探索研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2002年

9 吴楠;基于SiGe HBT的高频增益模块[D];北京工业大学;2007年

10 赵昕;增强多指SiGe HBT热学性能的Ge组分分布设计和变指间距技术研究[D];北京工业大学;2012年

，

本文编号：900912