40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模

发布时间：2017-10-04 07:24

  本文关键词：40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模

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【摘要】：用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件,是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声分析的重要基础.本文基于40 nm MOSFET的器件物理结构,并结合漂移-扩散方程和电荷守恒定律,提出了基于物理的高频感应栅极电流噪声模型及其与漏极电流噪声的互相关噪声模型,以此来统一表征噪声从弱反区到强反区的频率与偏置依赖性.本文通过将有效栅极过载引入高频噪声模型中,使得统一模型具有良好的准确性、连续性和平滑性.最后,通过所建模型的仿真结果与实验结果的数据比较,验证了本文所建模型的准确性及其对长沟道器件在强反区的适用性.
【作者单位】： 西南科技大学信息工程学院;
【关键词】： nm金属氧化物半导体场效应晶体管 高频噪声模型 偏置依赖性
【基金】：国家自然科学基金(批准号:69901003)资助的课题~~
【分类号】：TN386
【正文快照】： 1引言 随着低功耗器件沟道长度的减小,电源电压随之降低,MOSFET的工作点从强反区向弱反区转移,但阈值电压却不随之成比例减小,因此导致器件的噪声特性产生了显著的变化.对于MOSFET器件噪声分析,通常是以双端口网络的形式把噪声源独立出来(如图1所示),并以传统的热噪声机理解，

本文编号：969351