航空辐射环境SRAM存储芯片单粒子翻转实验综述

发布时间：2017-08-14 08:10

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【摘要】：随着集成电子器件的快速发展,应用在航空电子系统中的SRAM型存储器件集成度也越来越高,尺寸越来越小,其发生单粒子翻转效应的可能性也越来越高,对航空飞行的可靠性和安全性带来严重的隐患。针对国外已有的SRAM型存储芯片的地面辐射实验、航空飞行实验结果进行归纳总结,分析SRAM存储芯片受单粒子翻转效应的影响以及失效特点。
【作者单位】： 中国民航大学天津市民用航空器适航与维修重点实验室;中国民航大学安全科学与工程学院;
【关键词】： 单粒子翻转 SRAM 辐照实验 飞行实验
【基金】：国家自然科学基金委员会与中国民用航空局联合资助项目(U1333120) 中央高校基本科研业务费项目(3122014C025) 民航科技创新引导资金重大专项项目(MHRD20140103);民航科技创新引导资金项目(MHRD20140208) 天津市自然科学基金联合资助项目(15JCQNJC42800)
【分类号】：V243
【正文快照】： 0引言线卡会由于单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)导致重近年来,国防军事、航空航天领域得到快速发展,航置[2]。2008年10月,澳洲航空公司一架空客A330-303天器在空间中的活动也越来越频繁,这些航天器在空间飞行在37 000英尺高度,由于飞机上的电脑受到大气辐飞行中,一直遭受

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