TMA脉冲和吹扫时间对原子层沉积的氧化铝薄膜的影响

发布时间：2018-03-18 13:32

  本文选题：原子层沉积　切入点：AlO薄膜　出处：《功能材料》2017年07期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用原子层沉积技术(ALD)进行Al_2O_3薄膜工艺研究,获得85℃低温Al_2O_3薄膜ALD的最佳工艺条件。使用椭偏仪测试厚度,使用扫描探针显微镜对薄膜表面形貌进行分析,使用紫外-分光光度计对薄膜的透过率进行分析,所用水汽透过率测试仪器是自行开发的基于钙电学法的测试仪器。分析了在85℃低温下的生长工艺条件对薄膜性能的影响,从前驱体脉冲时间,吹扫时间等工艺条件,对Al_2O_3薄膜的工艺条件进行优化。以三甲基铝(TMA)和H_2O为前驱体制备的Al_2O_3薄膜:沉积速率为0.1nm/cycle,表面粗糙度为0.46nm,对550nm波长光透过率为99.2%,薄膜厚度不均匀性为1.89%,200 nm的Al_2O_3薄膜的水汽透过率为1.55×10~(-4) g/m~2/day。
[Abstract]:The process of Al_2O_3 thin film was studied by atomic layer deposition (ALD), and the optimum process conditions of Al_2O_3 film ALD at 85 鈩，

本文编号：1629790