电压对硫酸亚铁-六偏磷酸钠体系TC4钛合金微弧氧化膜微观结构及红外发射性能的影响
发布时间:2019-07-18 20:45
【摘要】:在10 g/L硫酸亚铁+8 g/L六偏磷酸钠体系中,研究了电压对TC4钛合金表面微弧氧化膜微观结构和红外发射性能的影响。随电压升高,微弧氧化膜的厚度和粗糙度增大,P、Fe含量先升高后降低。微弧氧化膜中含有少量金红石型TiO_2,Fe和P则分别以非晶态的FeOOH和P_2O_7~(4-)的形式存在。在450 V下所得微弧氧化膜在波长5~20μm范围内的红外发射率最高,平均发射率达到0.93。
文内图片:
图片说明: 分析,激逡逑发源为A1邋Ka,通过能为84.6邋eV。采用日本理学D/max-2200pc型X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,逡逑步长0.02。,,扫描速率6°/min,管流40邋mA,扫描范围20°?90°。采用带A540附件的ASCOFT/IR-6100型逡逑傅里叶变换红外光谱仪测定膜层的红外发射率。采用北京时代公司生产的TT260涡流测厚仪与TR-200型逡逑便携式粗糙度仪分别测量膜层厚度与表面粗糙度。逡逑2结果与讨论逡逑2.1逦氧化电压对微弧氧化膜层厚度和粗糙度的影响逡逑从图1可知,膜层的厚度与粗糙度均在450邋V时有较大幅度的增加,随后增幅变校根据脉冲能量逡逑公式£邋=邋(其中t/、/、/分R%为脉冲电压、脉冲电流与脉宽)|12]可知,随着电压的升高,能量密度逡逑增大,从而使膜层的生长速率增大。但电压过高时,容易导致试片周围的电解液升温而造成膜层溶解,逡逑因此厚度的增大速率减缓。而膜层粗糙度的增大主要是因为在氧化的初始阶段膜层较薄,电压升高时能逡逑量密度显著增大,膜层的生长速率也快速增大,但随着氧化时间的延长,膜层增厚而电阻逐渐增大,故逡逑氧化电流密度逐渐降低,膜层表面的击穿熔融效应没有之前剧烈,因而膜层的粗糙度增大并不明显逡逑18逡逑2.05逡逑11逦420逦440逦460逦480逦500逦520邋80逡逑U/W逡逑图1电压对微弧氧化膜层厚度和粗糙度的影响逡逑Figure邋1邋Effect邋of邋voltage邋on邋thickness邋and邋roughness邋of邋MAO邋coating逡逑2.2逦膜层形貌逡逑由图2可见,微弧氧化膜层表面分布有很多大小不一的微弧放电孔,放电微孔的最大直径在20逡逑左右
文内图片:
图片说明: 2017年36卷24期逡逑电压对硫酸亚铁-六偏磷酸钠体系TC4钛合金逡逑微弧急.化膜撤观.结构及红外鬼射性能的影响逡逑ELECTROPATING邋&邋FINISHING逡逑(c)邋480邋V逦(d)5!0邋V逡逑图2电压对微弧氧化膜层表面形貌的影响逡逑Figure邋2邋Effect邋of邋voltage邋on邋surface邋morphology邋of邋MAO邋coating逡逑图3电压对微弧氧化膜层截面形貌的影响逡逑Figure邋3邋Effect邋of邋voltage邋on邋cross-sectional邋morphology邋of邋IVIAO邋coating逡逑表i不同电压下所得微弧氧化膜层的元素组成逡逑Table邋1邋Element邋compositions邋of邋the邋MAO邋coatings邋obtained邋at邋different邋voltages逡逑{JIM逡逑原子分数/邋%逡逑0逡逑P逡逑Ti逡逑Fe逡逑V逡逑420逡逑71.91逡逑15.91逡逑2.42逡逑9.54逡逑0.22逡逑450逡逑71.25逡逑16.36逡逑2.08逡逑10.20逡逑0.10逡逑480逡逑71.46逡逑14.69逡逑4.15逡逑9.41逡逑0.28逡逑510逡逑71.62逡逑15.41逡逑3.40逡逑9.44逡逑0.14逡逑来源于电解液。随氧化电压的升高,膜层中P、Fe元素含量呈先增后减的变化趋势,当氧化电压为450邋V逡逑时,P、Fe元素的含量均达到最大值。逡逑从图4可以看出,微弧氧化膜层中含有金红石Ti02,没有检测到Fe和P的特征衍射峰,说明Fe和逡逑P主要以非晶相形式存在。非晶相是膜层被电压击穿熔融后,在电解液瞬间
【作者单位】: 东北大学冶金学院;西北有色金属研究院;西安赛福斯材料防护有限责任公司;兰州空间技术物理研究所;
【基金】:国家自然科学基金(51474057,51274057)
【分类号】:TQ153
文内图片:
图片说明: 分析,激逡逑发源为A1邋Ka,通过能为84.6邋eV。采用日本理学D/max-2200pc型X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,逡逑步长0.02。,,扫描速率6°/min,管流40邋mA,扫描范围20°?90°。采用带A540附件的ASCOFT/IR-6100型逡逑傅里叶变换红外光谱仪测定膜层的红外发射率。采用北京时代公司生产的TT260涡流测厚仪与TR-200型逡逑便携式粗糙度仪分别测量膜层厚度与表面粗糙度。逡逑2结果与讨论逡逑2.1逦氧化电压对微弧氧化膜层厚度和粗糙度的影响逡逑从图1可知,膜层的厚度与粗糙度均在450邋V时有较大幅度的增加,随后增幅变校根据脉冲能量逡逑公式£邋=邋(其中t/、/、/分R%为脉冲电压、脉冲电流与脉宽)|12]可知,随着电压的升高,能量密度逡逑增大,从而使膜层的生长速率增大。但电压过高时,容易导致试片周围的电解液升温而造成膜层溶解,逡逑因此厚度的增大速率减缓。而膜层粗糙度的增大主要是因为在氧化的初始阶段膜层较薄,电压升高时能逡逑量密度显著增大,膜层的生长速率也快速增大,但随着氧化时间的延长,膜层增厚而电阻逐渐增大,故逡逑氧化电流密度逐渐降低,膜层表面的击穿熔融效应没有之前剧烈,因而膜层的粗糙度增大并不明显逡逑18逡逑2.05逡逑11逦420逦440逦460逦480逦500逦520邋80逡逑U/W逡逑图1电压对微弧氧化膜层厚度和粗糙度的影响逡逑Figure邋1邋Effect邋of邋voltage邋on邋thickness邋and邋roughness邋of邋MAO邋coating逡逑2.2逦膜层形貌逡逑由图2可见,微弧氧化膜层表面分布有很多大小不一的微弧放电孔,放电微孔的最大直径在20逡逑左右
文内图片:
图片说明: 2017年36卷24期逡逑电压对硫酸亚铁-六偏磷酸钠体系TC4钛合金逡逑微弧急.化膜撤观.结构及红外鬼射性能的影响逡逑ELECTROPATING邋&邋FINISHING逡逑(c)邋480邋V逦(d)5!0邋V逡逑图2电压对微弧氧化膜层表面形貌的影响逡逑Figure邋2邋Effect邋of邋voltage邋on邋surface邋morphology邋of邋MAO邋coating逡逑图3电压对微弧氧化膜层截面形貌的影响逡逑Figure邋3邋Effect邋of邋voltage邋on邋cross-sectional邋morphology邋of邋IVIAO邋coating逡逑表i不同电压下所得微弧氧化膜层的元素组成逡逑Table邋1邋Element邋compositions邋of邋the邋MAO邋coatings邋obtained邋at邋different邋voltages逡逑{JIM逡逑原子分数/邋%逡逑0逡逑P逡逑Ti逡逑Fe逡逑V逡逑420逡逑71.91逡逑15.91逡逑2.42逡逑9.54逡逑0.22逡逑450逡逑71.25逡逑16.36逡逑2.08逡逑10.20逡逑0.10逡逑480逡逑71.46逡逑14.69逡逑4.15逡逑9.41逡逑0.28逡逑510逡逑71.62逡逑15.41逡逑3.40逡逑9.44逡逑0.14逡逑来源于电解液。随氧化电压的升高,膜层中P、Fe元素含量呈先增后减的变化趋势,当氧化电压为450邋V逡逑时,P、Fe元素的含量均达到最大值。逡逑从图4可以看出,微弧氧化膜层中含有金红石Ti02,没有检测到Fe和P的特征衍射峰,说明Fe和逡逑P主要以非晶相形式存在。非晶相是膜层被电压击穿熔融后,在电解液瞬间
【作者单位】: 东北大学冶金学院;西北有色金属研究院;西安赛福斯材料防护有限责任公司;兰州空间技术物理研究所;
【基金】:国家自然科学基金(51474057,51274057)
【分类号】:TQ153
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 王蓉莉;李卫;罗健业;;电参数对锆材微弧氧化膜层厚度的影响[J];稀有金属材料与工程;2011年06期
2 马英鹤;贾文攀;王晓波;巩春志;田修波;;三角形铝件微弧氧化膜层不均匀之因探讨[J];材料保护;2011年06期
3 慕伟意;憨勇;张利民;;铝酸钠浓度对镁微弧氧化膜组织与性能的影响[J];西安交通大学学报;2007年07期
4 宋东福;戚文军;龙思远;陶军;李扬德;;预处理对压铸镁合金微弧氧化膜的影响[J];表面技术;2012年03期
5 李雯霞;;工艺因素对镁合金微弧氧化膜层性能的影响[J];中国铸造装备与技术;2011年02期
6 翟文杰;朱宝全;刘莲芳;;典型介质中7A04微弧氧化膜的摩擦电化学行为[J];材料科学与工艺;2010年03期
7 但敏;高
本文编号:2516060
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/huagong/2516060.html