碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响
发布时间:2017-07-29 23:11
本文关键词:碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响
【摘要】:采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素。结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米管阴极场发射性能会有一定程度的提高,同时场发射性能的稳定性增加;阴阳极距离15μm时,碳纳米管具有最好的场发射性能。
【作者单位】: 中国电子科技集团第三十三研究所电磁防护与器件事业部;电磁防护技术山西省重点实验室;山西大学化学与化工学院;
【关键词】: 碳纳米管 场发射 测试次数 阴阳极距离
【基金】:山西省青年科技研究创新基金(2013021004-3,2014021020-1) 山西省自然科学基金资助项目(2014011049-26)
【分类号】:TB383.1;TQ127.11
【正文快照】: 碳纳米管具有独特的物化性质,尤其是具有优越的场发射特性:针尖型场发射和平面板状场发射。针尖型场发射可应用于场发射阴极的制备,平面板状场发射可应用于平板显示器等方面。随着研究的深入,碳纳米管还可以用于制作新型的场发射阴极,表现出很好的场致发射特性,发射稳定性比金
【相似文献】
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1 徐鹏;可寻址式碳纳米管薄膜场发射显示器件的研究[D];浙江大学;2015年
2 叶雅楠;场发射平板显示器荧光粉的制备及性能研究[D];哈尔滨理工大学;2013年
,本文编号:591511
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