工艺气体比例对微波MOCVD沉积氧化铝膜性能影响
本文关键词:工艺气体比例对微波MOCVD沉积氧化铝膜性能影响
更多相关文章: 线性微波源 氧化铝薄膜 工艺气体比例 折射率 沉积速度
【摘要】:AlO薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用自主研发的线性微波等离子增强化学气相沉积系统(LMW-MOCVD)在单晶硅基体上用不同N_2O和TMA特气比例制备氧化铝膜层样品,并通过SEM、SE800椭偏仪对薄膜的成分、表面形貌、厚度、沉积速度、折射率测试分析。实验结果表明,随着N_2O比例增大,薄膜中O/Al原子比例有上升趋势;膜层沉积速度显著降低;膜层折射率开始趋于稳定而后迅速降低。所以,工艺气体比例对LMW-MOCVD沉积氧化铝膜的性能有明显影响。
【作者单位】: 东北大学机械及自动化学院;
【关键词】: 线性微波源 氧化铝薄膜 工艺气体比例 折射率 沉积速度
【基金】:教育部博士点基金资助项目(20120042110031)
【分类号】:TB383.2;TQ133.1
【正文快照】: 0引言AlO薄膜具有可以钝化硅片表面,弥补硅片表面悬挂键,起到增加少子寿命的作用,最重要的是氧化铝膜层内部有负阴离子团,该阴离子位于AlO和硅交界处,可以在P型硅表面形成阴性场效应,增强PN结的内建电场,增大开路电压和短路电流,最终实现提高晶硅电池效率。因此,近年来AlO薄膜
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 徐稼迟;沈能珏;;MOCVD工艺中使用的特种气体[J];低温与特气;1985年04期
2 段树坤;;MOCVD技术及其源材料[J];低温与特气;1984年02期
3 沈桥;甘志银;;MOCVD石墨盘热可靠性分析[J];科技传播;2012年03期
4 ;Effects of ZnO Buffer Layer Thickness on Properties of Mg_xZn_(1-x)O Thin Films Deposited by MOCVD[J];Chemical Research in Chinese Universities;2005年05期
5 孙一军,张良莹,姚熹;BaTiO_3薄膜的MOCVD方法制备及进展[J];硅酸盐通报;1998年02期
6 张颖;林j旭;阎子峰;胡喜军;;新型MOCVD法以SBA-15为模板制备墨水瓶型孔结构的机理研究[J];科学通报;2009年14期
7 孙一军,张志峰,张良莹,姚熹;用MOCVD方法制备TIO_2薄膜:工艺及进展[J];硅酸盐通报;1997年02期
8 ;Influence of Annealing on Properties of ZnO Films Grown via Plasma-enhanced MOCVD[J];Chemical Research in Chinese Universities;2003年04期
9 金忆农;;中国科学院长春物理研究所两台MOCVD装置通过院级鉴定[J];低温与特气;1988年03期
10 曾建明,王弘,尚淑霞;常压MOCVD制备MgO薄膜的研究[J];功能材料;1996年04期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 王国斌;水平切向喷射式MOCVD反应器输运过程的数值模拟研究[D];江苏大学;2009年
,本文编号:795964
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/huagong/795964.html