BiOBr的合成、改性及光催化性能研究
【学位授予单位】:燕山大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:O643.36;O644.1;X703
【图文】:
[13]。图1-1 半导体光催化反应过程半导体光催化的基本原理[14,15],如上图1-1所示,主要是:当半导体催化剂受到大于或等于其禁带宽度的光照时,吸收光能被激发,电子被激发形成高能活性电子(e-),而价带产生带正电的空穴(h+)。其中电子(e-)利用本身的强还原能力,可以溶解水中的氧气(O2)得到超氧自由基( O2-),或者是发生某些反应生成羟基自由基( OH),两种基团均可实现对污染物的降解。同时,空穴(h+)也可利用本身的强氧化能力
燕山大学工学硕士学位论文化技术存在的问题术作为国际上研究活跃的领域之一,目前主要存在的问题即光催化剂对太阳光的响应范围窄,大多以汞灯为光源太阳光 5%,对占太阳光 46%的可见光和 49%的近红外光 1-2 所示[29];2、太阳光量子效率低,即载流子易发生复解性能差。
燕山大学工学硕士学位论文表示的物理意义为:半导体光催化材料所响应的波长是由其本身的禁带宽度决定的[13]。通过调节其禁带宽度,可使材料吸收更多的可见光。改变半导体的禁带宽度可以通过离子掺杂方式。离子掺杂是指将不同元素掺杂在一起,使其可以部分取代或者填充在半导体催化剂材料的晶格中,使催化剂产生晶格缺陷,也会改变催化剂材料的结晶性。离子掺杂主要分为非金属和金属两类。通过非金属、金属离子掺杂分别会在价带和导带附近产生一个新的能级,称为杂质能级,如图 1-3 所示。杂质能级的产生可以增大载流子的浓度,调节带隙,最终达到提升光催化性能的效果。
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