介孔g-C 3 N 4 /过渡金属（Fe,Co,Cu）/Ag 3 PO 4 异质结体系的构建及其可见光催化氧化机制研究
发布时间：2022-01-06 07:07
针对g-C3N4作为可见光催化剂降解污染物过程中存在的比表面积小、光生电子-空穴对复合率高和g-C3N4异质结催化氧化能力弱的问题和不足,本论文通过特定的制备方法合成了大比表面积的g-C3N4、与强氧化剂形成Z型异质结、掺杂过渡金属提高光催化性能及稳定性。g-C3N4光催化剂的催化性能可以通过改变制备方法、与强氧化半导体复合来改善。本课题采用“二次煅烧+酸深度处理”的方法构筑具有大比表面介孔g-C3N4可见光催化剂载体,为催化降解提供充足的吸附与反应活性位点,并与Ag3PO4复合获得具有强氧化能力的g-C3N4/Ag3PO4异质结,发现其稳定性有改善的空间。甲基橙降解效果表明,复合材料的光催化降解性能得到改善,TOC分析表明复合Ag
【文章来源】：华南理工大学广东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：91 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
半导体光催化过程的基本机理示意图
第一章 绪论ui 等人[54]用光还原法制得 Ag/g-C3N4，光催化剂机理如图 1-4 电带向 Ag 的电荷转移可以减少光生电子-空穴对的组合。在 A Ag 纳米颗粒可以立即清除光生电子以产生肖特基势垒，从而合，同时，随着光生电子跳跃到金属银表面，金属银的 Fermi NHE）转移到-0.046 eV，从而可以利用解氧被还原为 O2-·自。
华南理工大学硕士学位论文壳纳米线，使用 Na2S 和 Na2SO3作为牺牲剂来评价这些样品的光催化制氢活性。结果明，在自发吸附过程中，g-C3N4成功地涂覆在 CdS 纳米线上，并且能够显着提高 Cd米线的光催化制氢速率，在 g-C3N4含量为 2 wt％时达到最佳值 4152 μmol·h-1·g-1。更要的是，即使在非人工系统中，g-C3N4涂层也可以显著增强 CdS 纳米线的光稳定性-C3N4和 CdS 之间的协同作用可以有效地加速电荷分离，并将腐蚀性空穴从 CdS 转移强大的 g-C3N4，认为这种Ⅱ类异质结的 CdS/g-C3N4(2 wt%)可以加速电荷载体分离和抑 CdS 腐蚀的正协同效应，从而大大提高了光催化活性和光稳定性，其光降解机理如图-5 所示。
本文编号：3571989
【文章来源】：华南理工大学广东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：91 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
半导体光催化过程的基本机理示意图
第一章 绪论ui 等人[54]用光还原法制得 Ag/g-C3N4，光催化剂机理如图 1-4 电带向 Ag 的电荷转移可以减少光生电子-空穴对的组合。在 A Ag 纳米颗粒可以立即清除光生电子以产生肖特基势垒，从而合，同时，随着光生电子跳跃到金属银表面，金属银的 Fermi NHE）转移到-0.046 eV，从而可以利用解氧被还原为 O2-·自。
华南理工大学硕士学位论文壳纳米线，使用 Na2S 和 Na2SO3作为牺牲剂来评价这些样品的光催化制氢活性。结果明，在自发吸附过程中，g-C3N4成功地涂覆在 CdS 纳米线上，并且能够显着提高 Cd米线的光催化制氢速率，在 g-C3N4含量为 2 wt％时达到最佳值 4152 μmol·h-1·g-1。更要的是，即使在非人工系统中，g-C3N4涂层也可以显著增强 CdS 纳米线的光稳定性-C3N4和 CdS 之间的协同作用可以有效地加速电荷分离，并将腐蚀性空穴从 CdS 转移强大的 g-C3N4，认为这种Ⅱ类异质结的 CdS/g-C3N4(2 wt%)可以加速电荷载体分离和抑 CdS 腐蚀的正协同效应，从而大大提高了光催化活性和光稳定性，其光降解机理如图-5 所示。
本文编号：3571989
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/huanjinggongchenglunwen/3571989.html
