ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷研究

发布时间：2017-10-19 08:25

  本文关键词：ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷研究

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【摘要】：利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质。计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 e V,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域展宽;电子能带结构的变化对ZnO的光学性质在低能产生了重要影响,主要表现在:介电函数虚部往低能方向移动且强度显著增强,使得ZnO表现出简并半导体的特性;复合缺陷导致ZnO晶体光学吸收边缘产生了红移,可见光区的吸收系数增大,透过率降低。
【作者单位】： 西华师范大学物理与空间科学学院;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室;
【关键词】： ZnO 第一性原理 复合缺陷
【基金】：四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133) 中国科学院太阳活动重点实验室开放课题(KLSA201514)
【分类号】：O77
【正文快照】： (Received 21 October 2015,accepted 2 February 2016)1引言氧化锌(Zn O)为直接带隙半导体材料,室温禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能为60 me V,是一种适合制作高效率蓝色、紫外发光器件和探测器等光电器件的宽带隙半导体材料[1-3]。与Si C、Ga N(禁带宽度为3.4e V)等其它的宽

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本文编号：1060067