共价键合双钼D-B-A体系桥基构象对电子耦合和电子转移的影响
【学位授予单位】:暨南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:O641.4
【图文】:
不对称体系(B),绝热(实线)和非绝热势能系中,因为混价化合物体系内电子耦合作用的影响b)形成上下分离的绝热势能曲线(实线 G1,G2),如下分别是基态和激发态,在核坐标 x=0.5 位置上基态的耦合常数,即 2 Hab。绝热体系下热诱导电子转移非绝热体系下的热电子转移需要克服的能垒。绝热重组能 ,光诱导电子跃迁到激发态需要和克服热力受到重组能 和生成物的自由能变 G 的影响。因此受到能量为 EIT的光电子激发(公式 1.1.1)。对称体量没发生变化,这时自由能变 G =0。而在不对称生成物势能曲线的最低点之差(图 1.0-B)。
o=v + 不能通过直接的计算得到,但是可以通过反应物和生数据进行测定。值得注意的是金属混价化合物的内重前后分子内(金属-桥)的键长变化求得。因为有机域在多个中心,且中心多数为 π 共轭体系,而不是定所以有机体系中的内重组能不能通过上述的方法求得型计算耦合常数论适用于具有耦合作用的混价化合物体系的电子跃迁 Mulliken 机理的基础上提出的,能有效地计算混价化耦合常数用(Hab)来表示。
6图 1.3 对称体系 Class I, Class II 和 Class III 的双态模型提及的三大混价化合物分类外,化学家在后续的研究lass II 体系也能反常地表现出近似完全离域的电子特 Creutz 和 Sutin[15,16]在 2002 年基于对称体系的双态模Class II 类化合物细分为 Class IIA 和 Class II B 两小类。
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