钼（钒）酸铋半导体的改性及其可见光催化性能的研究

发布时间：2021-06-30 12:15

　　本文通过构建异质结和掺杂石墨烯备了两种光催化材料（Ag₂WO₄/Bi₂Mo O₆、Ag IO₃/Bi VO₄-GO）。对所合成的样品进行了系列的表征。通过在可见光照射下降解亚甲基蓝（MB）、罗丹明B（Rh B）和盐酸四环素（TC）来评估所制备的样品的光催化活性,并通过捕获实验对其降解机理进行深入探讨。具体内容如下:1.通过采用简单的溶剂热法,以Bi（NO3）₃·5H₂O和Na₂Mo O₄·2H₂O为原料,以乙二醇和乙醇为溶剂制备出形貌可控的三维分层空心球形状的Bi₂Mo O₆,利用沉淀法制备出不同摩尔百分比的Ag₂WO₆/Bi₂Mo O₆复合物。通过XRD,UV-Vis DRS,PL,PT,EIS,BET和SEM表征研... 

【文章来源】：郑州大学河南省 211工程院校

【文章页数】：66 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

半导体光催化机理图

2实验部分15为Ag2WO4/Bi2MoO6复合材料的制备流程：图2.1Ag2WO4/Bi2MoO6复合材料的制备流程2.2.2AgIO3/BiVO4-GO的制备有很多因素影响着半导体材料的光催化性能，比如形貌、比表面积、晶型、粒径尺寸等因素。这些因素可以通过不同的实验方法来控制。本实验通过低温溶剂热法制备出了球形的BiVO4，利用一定比例的水、乙酸和乙酸混合液作为溶剂，通过调节PH来调节它的形貌，在低温下制备出了球形的BiVO4。然后通过原位沉淀法将AgIO3与BiVO4进行复合。以BiVO4作为前驱体，通过前后加入不同质量比的硝酸银和碘酸钾在溶液中进行离子交换，形成AgIO3/BiVO4复合物。最后通过水浴法将石墨烯与AgIO3/BiVO4进行复合。图2.2为AgIO3/BiVO4-GO的制备流程：图2.2AgIO3/BiVO4-GO的制备流程溶剂热160℃24h二水钼酸钠(乙二醇）五水硝酸铋（乙二醇）中空球形Bi2MoO6不同比例的Ag2WO4/Bi2MoO6复合光催化剂不同质量比硝酸银原位沉淀法不同质量比二水钨酸钠溶剂热80℃3h偏钒酸铵NaOH水溶液硝酸铋的水、醋酸、乙醇混合溶液球形的钒酸铋AgIO3/BiVO4-GO复合材料不同质量比硝酸银原位沉淀法不同质量比碘酸钾不同比例的AgIO3/BiVO4-GO复合材料不同质量比石墨烯水浴法60℃6h

2实验部分15为Ag2WO4/Bi2MoO6复合材料的制备流程：图2.1Ag2WO4/Bi2MoO6复合材料的制备流程2.2.2AgIO3/BiVO4-GO的制备有很多因素影响着半导体材料的光催化性能，比如形貌、比表面积、晶型、粒径尺寸等因素。这些因素可以通过不同的实验方法来控制。本实验通过低温溶剂热法制备出了球形的BiVO4，利用一定比例的水、乙酸和乙酸混合液作为溶剂，通过调节PH来调节它的形貌，在低温下制备出了球形的BiVO4。然后通过原位沉淀法将AgIO3与BiVO4进行复合。以BiVO4作为前驱体，通过前后加入不同质量比的硝酸银和碘酸钾在溶液中进行离子交换，形成AgIO3/BiVO4复合物。最后通过水浴法将石墨烯与AgIO3/BiVO4进行复合。图2.2为AgIO3/BiVO4-GO的制备流程：图2.2AgIO3/BiVO4-GO的制备流程溶剂热160℃24h二水钼酸钠(乙二醇）五水硝酸铋（乙二醇）中空球形Bi2MoO6不同比例的Ag2WO4/Bi2MoO6复合光催化剂不同质量比硝酸银原位沉淀法不同质量比二水钨酸钠溶剂热80℃3h偏钒酸铵NaOH水溶液硝酸铋的水、醋酸、乙醇混合溶液球形的钒酸铋AgIO3/BiVO4-GO复合材料不同质量比硝酸银原位沉淀法不同质量比碘酸钾不同比例的AgIO3/BiVO4-GO复合材料不同质量比石墨烯水浴法60℃6h


本文编号：3257725