基于转移矩阵法的n-Si/n-Fe 2 O 3 光催化性能研究

发布时间：2021-11-01 13:14

　　对平衡态及光照下非平衡态的n-Si/n-Fe₂O₃/electrolyte的能带结构进行了分析,同时结合转移矩阵法定量地计算Si中不同能量的电子/空穴穿过n-Si/n-Fe₂O₃势垒并满足水氧化还原电势要求的透射系数,从而得出光照与Fe₂O₃厚度对Si中电子/空穴透射能量的影响。结果表明:Fe₂O₃层厚度（1¹0 nm）与光电压的增大,均可以使Si中电子满足水还原反应电势要求所需的最小能量减小,同时使Si中空穴满足水氧化反应电势要求所需的最小能量增大。通过选择合适的Fe₂O₃厚度（⁷ nm）,可以使Si中的光生电子和光生空穴同时以较小的能量传输到电解液中并满足水氧化和水还原反应的电势要求。 

【文章来源】：人工晶体学报. 2016,45(12)北大核心CSCD

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 引言
2 转移矩阵法及电势分布模型
    2.1 转移矩阵法
    2.2 n-Si/n-Fe2O3电势分布模型
3 结果和讨论
    3.1 n-Si/n-Fe2O3/electrolyte能带结构分析
    3.2 Fe2O3厚度及光照情况对Si中载流子透射情况的影响
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]石墨烯-ZnIn2S4纳米复合微球的制备及光催化产氢活性[J]. 周民杰,张娜,侯朝辉.  无机材料学报. 2015(07)



本文编号：3470176