Al 0.26 Ga 0.74 As/GaAs（001）表面形貌的热力学分析

发布时间：2024-12-18 01:53

　　 采用分子束外延（MBE）技术在GaAs衬底上生长Al_0.26Ga_0.74As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_0.26Ga_0.74As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_0.26Ga_0.74As/GaAs表面形貌特点。在40 min的热退火后,Al_0.26Ga_0.74As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al_0.26Ga_0.74As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al_0.26Ga_0.74As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致。

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【文章目录】：
1 实验
2 实验结果及讨论
    2.1 原子有效扩散长度的计算
    2.2 原子迁移速率的计算
3 结论



本文编号：4016862