大尺寸高质量GaSb单晶研究

发布时间：2017-09-28 02:05

  本文关键词：大尺寸高质量GaSb单晶研究

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【摘要】：采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成。通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶。此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm~(-2);同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm~2/V·s,载流子浓度达到了1.68×10~(17)cm~(-3)。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【关键词】： GaSb 垂直布里奇曼法 位错密度 覆盖剂
【分类号】：O78
【正文快照】： (Received 21 November 2015,accepted 29 February 2016)1引言Ga Sb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,其禁带宽度为0.72 e V。由于它的晶格常数很好地与其它Ⅲ-Ⅴ族合金以及三元、四元含锑化合物相匹配,因而,Ga Sb是一种优良的电子和光电子器件衬底材料。可以用于超晶格红外探测器[

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本文编号：933160