环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下沉积高品质金刚石膜
本文关键词:环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下沉积高品质金刚石膜
更多相关文章: 金刚石膜 化学气相沉积 高功率 氮杂质 椭球谐振腔
【摘要】:介绍了自行研制的环形天线-椭球谐振腔式高功率MPCVD装置的结构特点,展示并研究了新装置在高功率条件下的放电特性。在10.5 k W的高微波输入功率下成功制备了直径50 mm,厚度接近1 mm的高品质自支撑金刚石膜。在真空泄漏速率约2.5×10~(-6)Pa·m~3/s的条件下金刚石膜的生长速率达到6μm/h,金刚石膜厚度偏差小于±2.1%。抛光后的金刚石膜红外透过率在6.5~25μm范围内接近71%;紫外透过率在270 nm处超过50%,金刚石膜样品的光学吸收边约为225 nm;通过紫外吸收光谱计算的金刚石膜样品中的氮杂质含量约为1.5 ppm;金刚石膜的拉曼半峰宽小于1.8 cm~(-1)。
【作者单位】: 北京科技大学新材料技术研究院;河北省激光研究所;河北普莱斯曼金刚石科技有限公司;中国科学院北京纳米能源与系统研究所;
【关键词】: 金刚石膜 化学气相沉积 高功率 氮杂质 椭球谐振腔
【分类号】:TQ163
【正文快照】: (Received 8 April 2016)1引言大面积、高品质金刚石膜以其优异的综合性能在各领域有着广泛的应用[1]。然而,尽管微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术自发明以来取得了巨大的技术进步,但在大面积高品质金刚石膜的高效制备方面仍面临挑战[2-4]。高功率MPCVD技术是高效制备大面
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本文编号:1004226
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