热源并联式全透气碳化硅合成炉的模拟分析

发布时间：2018-01-23 10:42

  本文关键词： 热源并联 全透气 碳化硅 数值模拟　出处：《硅酸盐通报》2017年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：介绍了自主研发设计的新型碳化硅合成炉合成原理。研究了炉内温度场,压力场的变化规律,模拟结果和实验结果与传统单热源进行对比。研究表明,热源并联式全透气碳化硅合成炉可以有效增加合成反应区域,炉内压力维持在0.101~0.113 MPa之间,所产生的CO气体能从排气装置顺利排出,炉内气体最大流速不超过0.6 m/s,从而有效防止喷炉事故和有毒气体对人员危害,合成产品的致密性明显提高。
[Abstract]:The synthesis principle of a new type of silicon carbide synthesizer designed by ourselves is introduced. The variation law of temperature field and pressure field in furnace is studied. The simulation results and experimental results are compared with the traditional single heat source. The heat source coupled fully breathable silicon carbide synthesis furnace can effectively increase the synthetic reaction area, and the pressure in the furnace is kept between 0.101 and 0.113 MPa. The CO gas produced can be discharged smoothly from the exhaust unit, and the maximum velocity of gas in the furnace is not more than 0.6 m / s, thus effectively preventing the accident of the furnace and the harm of the toxic gas to the personnel. The compactness of the synthetic product was improved obviously.
【作者单位】： 西安科技大学材料科学与工程学院;陕西铁路职业技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(51074123)
【分类号】：TQ054;TQ163.4
【正文快照】： 1引言碳化硅是一种具有高硬度、高耐磨性、高耐火度的优良材料,被应用作为耐磨材料和其他工业材料[1-4]。直到目前为止人类未曾发现适合开采的碳化硅矿源,人类开始工业化生产碳化硅已经有一百多年的历史,是由美国人艾奇逊发明的,虽然目前合成碳化硅的方法比较多,但是由于成本

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本文编号：1457352