化学气相沉积法制备h-BN
本文选题：六方氮化硼 切入点：化学气相沉积法 出处：《科学通报》2017年20期
【摘要】：六方氮化硼是一种与石墨烯结构类似的二维层状宽带隙绝缘材料,具有各种优异的物理性质.例如,它具有优异的力学性质和化学、热稳定性,在非线性光学领域、紫外激光器以及保护层材料方面具有潜在的应用.另外,由于其表面具有原子级平整,不存在悬挂键和陷阱电荷,使其成为石墨烯电学器件的一种优异的介电材料.它还可与其他二维材料组成平面/垂直结构的异质结,展现出各种新奇的性能和在电子器件方面的潜在应用.如何可控制备大面积、高质量的六方氮化硼是目前研究的核心科学问题.本文主要综述了通过化学气相沉积法制备六方氮化硼的一系列工作,其中包括最新的研究进展,对反应前驱体和基底的选择做了详细的介绍和讨论,并展望了该领域的发展前景.
[Abstract]:Hexagonal boron nitride is a two-dimensional layered wide band gap insulating material similar to graphene structure. It has various excellent physical properties, for example, it has excellent mechanical and chemical properties, thermal stability, and in the field of nonlinear optics, UV lasers and protective layer materials have potential applications. In addition, because their surfaces are atomically flat, there is no hanging bond or trap charge. Making it an excellent dielectric material for graphene electrical devices. It can also form planar / vertical heterostructures with other two-dimensional materials. Showing novel properties and potential applications in electronic devices. How to control the preparation of large areas, High quality hexagonal boron nitride (HBN) is the core scientific problem in the present research. This paper reviews a series of work on the preparation of hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition, including the latest research progress. The selection of reaction precursor and substrate is introduced and discussed in detail, and the development prospect of this field is prospected.
【作者单位】： 中国科学院化学研究所;
【基金】：国家自然科学基金(21633012,21273243,51233006和61390500) 国家重点基础研究发展计划(2016YFA0200101,2013CB933500,2013CBA01602) 北京市科技计划(Z161100002116025) 中国科学院战略性先导科技专项B类项目(XDB12030100)资助
【分类号】：TQ128
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 国华;;在化学气相沉积石榴石膜时生成物相的控制[J];磁性材料及器件;1973年01期
2 王忠恕;化学气相沉积在机械工业中的应用[J];热加工工艺;1983年02期
3 沈启贤;欧洲第五届化学气相沉积会议在瑞典召开[J];兵器材料科学与工程;1985年12期
4 张长鑫;化学气相沉积制取钨[J];稀有金属;1987年03期
5 张长鑫;;化学气相沉积制取钨制品[J];新技术新工艺;1987年05期
6 马捷;张好东;毕安园;王从曾;周美玲;;化学气相沉积法制取异型钨制品研究[J];兵工学报;2006年02期
7 卢翠英;成来飞;张立同;徐永东;赵春年;;化学气相沉积碳化硅的热力学分析[J];无机材料学报;2008年06期
8 韩同宝;;化学气相沉积设备与装置[J];化学工程与装备;2011年03期
9 ;浅谈化学气相沉积新工艺[J];机械工人技术资料;1975年07期
10 H.E.Hintermann;曾宪国;;耐磨和耐腐蚀的化学气相沉积层的应用[J];国外化学热处理;1982年06期
相关会议论文 前10条
1 庞世红;马眷荣;马振珠;;在线化学气相沉积过程的动力学研究[A];2007中国浮法玻璃及玻璃新技术发展研讨会论文集[C];2007年
2 王君;陈长琦;朱武;刘珍;陈明;;氮化硅化学气相沉积过程的量子化学研究[A];中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集[C];2004年
3 张蔷;张晓林;张帆;奚中和;;化学气相沉积法的沉积速率对硅烷浓度的依赖[A];中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集[C];1997年
4 浦鸿汀;孙霞容;;化学气相沉积聚合制备聚乙酰基对苯撑二甲基及其性能的研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
5 杨艳;;化学气相沉积碳化硅[A];第三届全国化学工程与生物化工年会论文摘要集（下）[C];2006年
6 张溪文;韩高荣;;介质阻挡放电化学气相沉积法制备二氧化钛薄膜研究[A];TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2005年
7 练友运;刘翔;许增裕;宋久鹏;于洋;庄志刚;;铜基表面化学气相沉积制备钨涂层的组织与性能[A];中国核科学技术进展报告（第二卷）——中国核学会2011年学术年会论文集第7册（核电子学与核探测技术分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、核聚变与等离子体物理分卷）[C];2011年
8 刘晓亭;陈茜;罗静;王文宇;陈皓;;多孔石英陶瓷上化学气相沉积氮化硅薄膜[A];2011年全国青年摩擦学与表面工程学术会议论文集[C];2011年
9 徐幸梓;张力;曾丁丁;陈玉安;韩志范;;氢在化学气相沉积制备碳材料过程中的作用[A];2007高技术新材料产业发展研讨会暨《材料导报》编委会年会论文集[C];2007年
10 周健;罗迎社;李立君;钟琦文;殷水平;;激光诱导化学气相沉积制造微碳柱的研究[A];中国化学会、中国力学学会第九届全国流变学学术会议论文摘要集[C];2008年
相关博士学位论文 前7条
1 杨诗瑞;化学气相沉积制备高纯度Re、Ir的相关机理研究[D];北京理工大学;2015年
2 王玉天;化学气相沉积用铂、铱金属有机化合物的合成及其应用研究[D];昆明理工大学;2016年
3 刘鑫;自组装单分子层上化学气相沉积铜薄膜研究[D];浙江大学;2007年
4 马磊;化学气相沉积原位合成过渡金属和碳纳米管复合改性二氧化钛光催化材料[D];华东理工大学;2012年
5 朱小奕;化学气相沉积法合成锂离子电池硅碳复合负极材料的研究[D];青岛大学;2013年
6 何春年;化学气相沉积法原位合成碳纳米管增强铝基复合材料[D];天津大学;2008年
7 孟明;In_O_3晶面的可控生长及晶面依赖的光电催化性能研究[D];南京大学;2015年
相关硕士学位论文 前10条
1 唐冬梅;阵列碳纳米管的制备及其应用研究[D];西南科技大学;2015年
2 余风利;碳纳米管化学气相沉积炉的优化设计与仿真[D];南昌大学;2015年
3 张峰;化学气相沉积法制备金属铁磁性纳米线及其性能研究[D];浙江工业大学;2015年
4 陈宾宾;化学气相沉积制备负载型氧化铁、氧化铜催化剂及其苯酚羟基化性能[D];扬州大学;2015年
5 董艳芳;单层二硫化钼的化学气相沉积法制备及其表征[D];北京交通大学;2016年
6 曾甜;二维硫化钼的化学气相沉积法制备及其光电性能研究[D];南京航空航天大学;2016年
7 陈晓佳;化学气相沉积设备尾气过滤系统的研究与分析[D];华中科技大学;2015年
8 李凯;APCVD法Cu基Ti_3O_5复合材料的制备及性能影响因素研究[D];南昌大学;2016年
9 包宣;单层WS_(2x)Se_(2-2x)化学气相沉积[D];燕山大学;2016年
10 周乐君;化学气相沉积法制备超细铼粉的研究[D];中南大学;2010年
，本文编号：1695149
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxuehuagong/1695149.html
