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纳米级化学机械抛光

发布时间：2016-11-18 09:25

本文关键词：ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺，由笔耕文化传播整理发布。

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ULSI关键工艺技术_纳米级化学机械抛光

显测微显微、测量、微细加工技术与设显微备、量、细加工技术与设备!"#$%&#%’(，!()&*$(+(,-，!"#$%.)/$"#)-"%,012*"’+(,-

——纳米级ULSI关键工艺技术—化学机械抛光

张楷亮，，宋志棠，封松林，!"#$%&’(

（中国科学院上海微系统与信息技术研究所，半导体功能薄膜工程技术研究中心，

信息功能材料国家重点实验室，上海

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摘要：,!器件尺寸的纳米化，要求高的光刻曝光分辨率，在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅，进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了,!工艺中的四种平坦化技术基础上，重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光（!-.）方法的发展、应用及展望。

关键词：超大规模集成电路；化学机械抛光；纳米；抛光液；全局平坦化中图分类号：23&",4!

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%引言

件/片。为降低!"延迟，01结构采用了立体化和布线多层化。随着特征尺寸的微细化，光刻精度要求越来越高，如果衬底或01材料表面凹凸不平，对焦时难度增加，甚至无法全局曝光，影响光刻影

随着集成电路沿着摩尔定律的飞速发展，集成电路的特征尺寸逼近纳米级，集成度高达数亿元器

收稿日期：!""#$%"$&"

基金项目：国家’(&计划基金项目资助（!""&))&"!*!"，!""#))&"!+!"）；上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米专项基金项目资助（"&,!-."%(，"#,!-."%!）

微纳电子技术!""#年第$期%%&

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