AlN含量对SiC基复相陶瓷性能的影响

发布时间：2018-05-01 16:26

  本文选题：碳化硅 + 氮化铝　； 参考：《人工晶体学报》2016年11期

【摘要】：以Mg O-Ce O2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃下制备了SiC基复相陶瓷。研究了不同Al N含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明:不添加Al N时,试样致密性最差,气孔率和体积密度分别为4.71%和2.43 g/cm3。Al N含量升高至5wt%时,试样致密性有所提高。Al N含量进一步升高至10wt%~20wt%,试样完全致密,气孔率和体积密度分别保持在0.20%和3.31 g/cm3。在Al N含量为10wt%时,样品具有最高的热导率51.62 W·m-1·K-1,同时弯曲强度和断裂韧性达到顶点,分别为731.3 MPa和7.3 MPa·m1/2。
[Abstract]:SiC based multiphase ceramics were prepared at 1850 鈩，

本文编号：1830181